价带偏移相关论文
InGaN合金作为一种可用于开发全光谱的光电器件的材料,其在InGaN/GaN基LED的工业生产和作为照明源的使用在世界范围内越来越受到重......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是由金属电极层,半导体有源层和栅介质绝缘层组成的场效应器件,它是有源有机发光二极管(Ac......
学位
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参......
采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构......
本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究。高分辨透射电镜（HRTEM）测试表明退火后薄膜是结......
为了抑制暗电流进而提高工作温度，最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图，它......
应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值......
作为第三代宽禁带半导体的代表,SiC有两百多种同质异晶形。其中,6H-SiC(0001)面与3C-SiC(111)面具有较小的晶格失配,而且两者的热......
