价带偏移相关论文
Enhanced visible-light photocatalytic activity of a g-C3N4/ m-LaVO4 heterojunction： band offset dete
乐队偏移量是影响 heterostructure 光催化剂的 photocatalytic 表演的一个主导的因素。因此，控制半导体的乐队差距结构是在有效光......
InGaN合金作为一种可用于开发全光谱的光电器件的材料,其在InGaN/GaN基LED的工业生产和作为照明源的使用在世界范围内越来越受到重......
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是由金属电极层,半导体有源层和栅介质绝缘层组成的场效应器件,它是有源有机发光二极管(Ac......
学位
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参......
讨论应变层异质结价带偏移的剪裁、设计方法，研究Ｓｉ／Ｇｅ应变层异质结价带偏移设计参数与应变条件的关系，基于异质结中平均键能“对齐”，得到......
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移Δ......
彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法，研究了宽带隙高温半导体，合金型应变层异质界面C／BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBx......
用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为衬底和ＧａＮ衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移。着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况......
采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构......
采用ＬＭＴＯ能带从头计算方法，计算了闪锌矿结构ＡＩＮ结构ＡｌＮ和ＧａＮ的静态性质；用平均键能方法，预言了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为初底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状......
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中，建议一种以平均键能为参考能级的△Ｅｖ值理论计算方法，该方法在Ｓｉ为衬底，以Ｇｅ为衬底和自由共......
本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究。高分辨透射电镜（HRTEM）测试表明退火后薄膜是结......
原子价乐队偏移量拉紧，纵放松了 diamond/cubic 硼氮化物(c-BN )(110 ) 超点阵被飞机波浪密度调查功能的理论途径并且用是的所在地......
利用第一性原理模拟计算铜铟硒（CIS）太阳能电池CIS吸收层，及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物（ordereddefectcompound，ODC）CuIn，Se。的性质．......
ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥＶ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ＾２的理论计算结果。该计算结果与目前的一些实验结果......
采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡｌＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价......
为了抑制暗电流进而提高工作温度，最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图，它......
应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值......
作为第三代宽禁带半导体的代表,SiC有两百多种同质异晶形。其中,6H-SiC(0001)面与3C-SiC(111)面具有较小的晶格失配,而且两者的热......
