多数载流子相关论文
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
前言近年来,半导体技术在我国电工行业中获得越来越广泛的应用,为了提高广大电工技术人员在半导体及其应用方面的理论知识与实践......
MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择.MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率.为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化......
为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进......
为了抑制暗电流进而提高工作温度，最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图，它......
<正>电子器件是电子电路的核心,电子器件的发展被分为三个历史阶段:电子管时代、晶体管时代和集成电路时代。晶体管和集成电路的制......
本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。
In this paper, the ......
