氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率等优良特性,在功率半导体应用领域具有得天独厚的优势。同时,基于GaN材料的异......

对AlGaN／GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究，通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4，对Cl2／Ar／C2H4的工艺条件进行了优化，有效地降低......

研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了......