本文用导纳谱法测得低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下０．２ｌｅＶ处，提出了ＳｒＴｉＯ３顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作......

本文用恒定电容深能级瞬态谱（CC—DLTS）方法研究了SiO2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达......