MIS结构相关论文
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为功率开关器件，具有高功率、高频率和高击穿电压等优良的特性，同时可以在高温高辐射等恶劣环......
用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰......
对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的'最佳相位'的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于......
采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了环氧树脂/碳钢电极在0.5mol·L^-1硫酸中腐蚀失效过程中的半导体导电行为.环......
制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×10^14,5×......
推导了双层介质微带传输线的电场积分方程，用电场积分方程法计算了单层、双层无耗或有 耗介质以及MIS结构的微带线的复传输常数，并与......
在微波技术研究中 ,微波功率是表征微波信号特性的一个重要参数。微波功率测量已成为电磁测量的重要部分 ,可应用于很多场合 ,如发......
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电......
随着晶体管特征尺寸的不断缩小和集成电路集成度的不断增大,传统的在金属电极和硅基底的界面处生成自对准硅化物的技术已经达到了......
InAs/GaSbⅡ类超晶格凭借灵活可调的能带结构、对垂直入射光有较高的吸收系数、可覆盖3-30微米的宽带吸收以及ⅡI-V族半导体材料较......
在室温情况下，研究了MIS结构电容器的湿敏特性。用交流串联电路，测量其电流与相对湿度和频率的依赖关系，实验结果表明：此结构有良好的......
介绍硅衬底的半导体陶瓷材料钛酸镧锶 (Sr1-x Lax Ti O3 )光湿敏元件的工作原理及结构 ,MIS结构元件的光湿敏特性参数和曲线。利用......
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属......
GaAs光电探测材料和器件广泛应用在各行业上,对国家经济、安全、科学技术发展具有重要的战略意义。由于光电探测器材料都是多层的,......
银行管理信息系统是以业务处理系统和办公自动化系统为基础,运用信息技术和系统工程方法实现银行全部信息的处理、分析、预测、风......
紫外光电阴极是紫外真空探测器件的核心部件,决定了器件的整体性能。以GaN和AlGaN等材料为代表的III族氮化物宽带隙光电发射材料具......
本文用恒定电容深能级瞬态谱（CC—DLTS）方法研究了SiO2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达......
期刊
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件......
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战......
三维集成是当前集成电路技术发展方向之一,而叠层键合结构是三维集成技术的基本结构,研究其检测和表征技术具有重要科学意义和实用......
GaN基半导体的能带带隙从0.7eV至6.2eV连续可调,所对应的波长覆盖了近红外到紫外光谱范围,基于该材料体系的探测器有望在火警、导......
