光热电离光谱相关论文
在液氦低温环境下，利用高灵敏度与高分辨率的傅立叶变换红外光谱技术，对高纯同位素p 型硅样品的Fano 共振及其声子伴线发生位置进行......
利用高灵敏度与高分辨率的光谱技术，在液氦低温条件下，对p型同位素硅样品的光热电离光谱进行了实验测试研究。确定了p型同位素硅......
报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐......
一、引言 超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中......
量子混沌是二十世纪七十年代伴随着经典混沌与量子力学的蓬勃发展而出现的一门新兴学科，其主要研究内容是：阐明在经典世界里普遍存在......
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C......
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热......
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主ＮＲＤ的形成温区为３００￣８００℃，９００℃以上退火将被不可逆消除，指出ＮＲＤ可能有......
报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱（PTIS），观察到2个新的谱线系列，结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主......
应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验......
用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０－１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明......
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在......
