受主杂质相关论文
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
<正>一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入......
在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质......
ZnO是一种直接带系半导体化合物,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,光子增益为320cm~(-1),因此ZnO薄膜作为具有优良的压......
通过传统的球磨工艺，以Co2O3为受主杂质和La2O3、Nb2O5、Bi2（SiO3）3为施主杂质，对BaTiO3系陶瓷进行掺杂。实验表明：Co2O3对BaTiO3陶瓷介......
采用过剩施主二次掺杂法,研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响,发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进......
通过传统的球磨工艺，分别以MnCO3、Co2O3为受主杂质，La2O3、Nb2O3、Bi2（SnO3）3为施主杂质对BaTiO3陶瓷进行掺杂。实验表明，BaTiO3陶瓷介......
采用磁控溅射技术,以N_2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性。结果表明,掺杂ZnO薄......
针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足，进行了开管式受主双质掺杂技术的研究，通过大量试验和工艺论证，研制成一种气(Ga)-固(Al掺......
半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低......
在室温下测量了GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光致发光,发现在波长λ=764nm处存在一较强的发光峰.理论分析表明,此峰是量子阱阱口附......
通过不同离子对BaTiO3的掺杂改性使BaTiO3基陶瓷成为主要的电介质材料之一，但是电子工业的快速发展对材料提出新的要求，如何获得介电......
<正> 专利的详细说明:高电阻锑化铟既大量地作为利用光电导体或者光电磁效应的红外探测器红外滤波器及窗孔材料等红外光电元件的原......
