光电子集成器件相关论文
基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过......
采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一......
新一代光纤通信系统的发展必然要以新型通信光电子集成器件作为支撑。而通信光电子集成器件研究所面临的最突出问题是半导体材料兼......
SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗......
