异质外延相关论文
金刚石作为一种超宽禁带半导体，是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而，高品质、大面积（大于2英寸）单晶衬底的制......
期刊
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga......
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情......
金刚石因其极佳的物理化学性质,可应用于各种高端的科技领域,单晶金刚石,特别是大尺寸、高质量的单晶电子级金刚石,更是由于结构完......
学位
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅（111）衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌......
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
以纳米岛为代表的低维半导体材料由于其独特的性能而受到国内外学者的广泛关注,并在纳米岛发光二极管、纳米岛激光器、纳米岛红外......
随着半导体产业的发展,依照摩尔定律,集成电路的器件尺寸越来越小,密度也越来越高。由于电源电压并没有随着器件的尺寸降低,造成严......
氧化镓作为一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、大禁带宽度的特性,在高电压、高功率密度、低功耗的功率电子器件方向有着重要......
作为一种新型超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_2O_3)在材料外延、功率器件和日盲探测器件研究方面已经取得显著进展。研究表明Ga_2O_......
Mist-CVD法是一种新型材料外延方法,具有成本较低、生长源选择多样化等多方面优势,在氧化物薄膜制备领域具有着巨大发展潜力。氧化......
近年来,紫外探测技术在火焰探测、导弹制导、保密通信等军民领域展现出巨大应用潜力。ZnO作为直接带隙宽禁带（3.37 eV）半导体材料,通......
延续了半个多世纪的摩尔定律即将被终结,在集成电路未来的发展中,包含III-V族与Si CMOS器件的异质集成电路,可以提供体积更小、性......
学位
近年来钙钛矿太阳电池(Perovskite solar cells)随着其急速增长的光电转换效率已经受到了研究人员的广泛关注。有机无机卤化钙钛矿......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
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本文采用分子束外延（MBE）方法在GaAs（001）衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）与X......
氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带(3.4 eV)半导体材料,因其独特的特性被广泛的利用在很多领域如在光电子方面GaN基的高效率蓝绿光L......
该文首先讨论了GaN材料基本性质,探讨分析了利用MOCVD设备在SiC衬底001晶向生长GaN单晶薄膜材料的工艺方法与控制条件.其次对薄膜......
本论文从RCEPD的基本功能结构——分布布喇格反射镜入手，首次提出了切趾DBR的概念，并通过了数值模拟给予了验证；探索提出了两种新型的......
近年来，由于原子级纳米器件的制作受到越来越多的关注，该领域成为了半导体物理和现代工业中的研究热点。人们对原子级尺度的异质外延......
本论文主要围绕Si衬底上，ZnO薄膜的MOCVD异质外延开展了研究，通过对MOCVD设备的改造、ZnO薄膜生长条件的探索以及Si衬底上各种......
本文对含磷Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料MBE生长与特性进行了研究。文章探讨了含磷Ⅴ/Ⅲ.族化合物半导体激光器，探测器以及HBT的研究进......
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断......
对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质......
用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示，在 Ｓｉ（１００） 界面上， Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被......
利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱 ,对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现 :当......
利用分子动力学模拟方法研究了Cu/Au(001)和Au/Cu(001)异质外延岛的演化行为.研究结果显示:Cu-Au体系的相互外延行为呈现出明显的......
在Fuchs-Sondheimer薄膜理论(F-S理论)和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Bol......
介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结......
利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子......
利用分子动力学弛豫方法模拟了Au/Cu(001)异质外延生长初期Au异质外延岛的形貌演化,分析了Au外延岛演化过程中的局域应力及与基体......
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度......
采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,利用分子动力学模拟方法研究了Au/Cu(111)和Ag/Cu(111)体系的异质外延结构特征以及外延岛形......
本文用分子动力学方法模拟了300K和700K下Au原子在Pt(111)面的沉积生长过程,特别关注了基底温度对薄膜生长方式和结构的影响。模拟......
SrCu2O2(SCO)是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于pSrCu2O2和n-ZnO薄膜已经成功制备了异质结......
使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN.利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
