光电导特性相关论文
<正>一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入......
ZnO是宽带隙半导体材料,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外发射器件、紫外激光器件和紫外探测器等领域。本论文采用KrF准分......
本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影......
引言rn有机光电导颜料由于其独特的性质在光电子领域引起研究者的极大兴趣.其中,偶氮类颜料由于其具有成本低、来源丰富、易于加工......
简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况，分别以硒脲和硒粉为主要原料，用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜......
从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与......
为了找到制备CuPc/ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数,本文研究了CuPc/ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系......
为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响，研制了12mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关，在不同的偏置电压下，使用波长为1064......
设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究......
为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、Z......
介绍了基于紫外光敏材料硅酸铋（BSO）晶体光寻址液晶光阀（LCLV）的工作原理和设计要求。研究BSO的光电导特性,论述了BSO晶体产生光电导效......
介绍了如何把“ 半导体薄膜光电导效应” 实验引入到探究型物理实验教学中, 测量了不同膜厚的网状结构ZnO ∶Al薄膜的光电导特性.......
