利用Ａｒ~＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面低温生长了 ＣｄＴｅ介质薄膜．分别用 ＣｄＴｅ介质膜和 ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜对 ＨｇＣｄＴｅ表面钝化．利用光电导衰退信号波形的拟合，得到了......

利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧......

采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......

利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si：H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以......

通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。......

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变功率密度和沉积压强制备了三系列微晶硅薄膜。采用拉曼光谱、XRD与电导率分析技......

<正> 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材......