研究了材料参数对In0.53Ga0.47As光电探测器量子效率的影响。分析发现量子效率的变化主要取决于入射光的方向,P区与N区载流子浓度......

随着今年的大一新生陆续入学，2019年高考终于落下帷幕。而今年的高考作文像往年一样，在6月份的热搜榜单上一直占领着首位。　　2019......

利用Ａｒ~＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面低温生长了 ＣｄＴｅ介质薄膜．分别用 ＣｄＴｅ介质膜和 ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜对 ＨｇＣｄＴｅ表面钝化．利用光电导衰退信号波形的拟合，得到了......

利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧......

利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分......

为提高太阳电池的开路电压Voc和效率η，必须减小饱和电流Jo，据此，对影响Jo的各种因素进行了研究.推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳......

利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论......

本文的主要内容是介绍晶体硅太阳电池选择性扩散新工艺和表面钝化的理论研究。 首先，简要阐述了太阳电池的基本原理；其次，阐述了晶......

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重......

晶体管可以说它是微电子中非常重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。晶体管的种类很多，其中高反压晶体管在国民生产中发......