面向高灵敏度、低功耗的MEMS传感器在国防军事、航空航天、深空探索等领域的重大应用和发展需求，本课题组在前期国家自然科学基金重......

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料和共振遂穿二极管（RTD）外延材料,在此材料结构基础上研究和分......

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工......