共源共栅结构相关论文
随着信息技术和半导体工艺技术的高速发展,宽频带、高性能、低成本的无线通信系统展现出了广阔的研究前景与极大的需求。作为射频......
共源共栅级联（Cascode）型氮化镓（GaN）功率器件开关过程较为复杂,其开关过程和功率损耗直接影响器件的设计、应用和分阶段建模.由于器件......
基于0.25μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺,研制了一种1.0～2.4 GHz的放大衰减多功能芯片,该芯片具有低噪声、高线性度和增益......
近年来，随着无线通信技术的迅猛发展，无线终端的小型化、低功耗、低成本、高性能已成为发展趋势，为此单片集成收发器已成为国际上研发......
采用65nmCMOS工艺，设计一款基波压控振荡器（VCO）.采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容（LC）谐振网络.采用交叉耦......
设计了一种应用于GPS射频接收机中的单端低噪声放大器(LNA),并利用安捷伦公司的ADS软件对电路进行了仿真。电路采用TSMC 0.13μm工......
采用0.18μm CMOS工艺,实现了双频段低噪声放大器设计.通过射频选择开关,电路可以分别工作在无线局域网标准802.11g规定的2.4 GHz......
共源共栅级联(Cascode)型氮化镓(GaN)功率器件已经逐步商业化,并在耐压、开关性能、温度特性等方面显示出比传统的硅材料器件更为......
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（Ga N HEMT）已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅（Cascode）G......
目前，射频电路存在广阔的市场，成为无线通信领域内研究的热点之一。本文正是在这种形式下，对射频无线接收前端电路尤其是射频接收机部......
随着新能源并网技术的发展,对电力电子器件的性能和可靠性的要求也日益苛刻,以硅材料为基础的传统电力电子器件已经逐步逼近由材料......
基于Tower Jazz 0.13μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极......
基于0.15μm砷化镓（GaAs）工艺建立一种电感模型,并用高频结构模拟器（High Frequency Structure Simulator,HFSS）仿真验证,并在此基础上......
随着微电子、微机械和高级材料等新技术的迅速发展,近年来小卫星的研究正在向体积小、质量轻、功能密度高的方向发展。研究基于SoC......
提出了一种应用于逐次逼近模数转换器的高速高精度比较器。该比较器由2级预放大器、1级锁存比较器以及缓冲电路构成。在前置预放大......
当工业控制领域朝着数字控制的方向发展时，运动控制芯片与DSP相结合的数控系统也向着高速度、高精度的方向发展。而在精密工业加工......
在发射系统中功率放大器是的重要组成部分,作为发射机的末级,功率放大器的作用是将高频信号放大至所需的功率,以满足发射天线或负......
无论是在军用还是在民用领域,雷达技术的作用显得越来越重要。接收机是雷达系统的重要组成部分,对系统性能起着关键性的作用。低噪......
近年来随着无线局域网的广泛使用,市场上呈现多种无线标准共存的局面(802.11a/b/g),因此对兼容多频段多协议的收发机需求显得愈发......
近年来,主流无线局域网市场表现出了多种无线标准共存的局面(802.11a/b/g),无线网络设备要求能够兼容所有的工作模式。随着成本的......
低成本、高品质的耳机驱动功率放大器一直是消费类电子,诸如CD播放器,MP3和DVD等产品所追求的目标。大多数传统的音频功率放大器是......
基于IBM 0.18μm SOI CMOS工艺,设计了一款用于WLAN的高效率CMOS功率放大器。为了提高电路的可靠性,该放大器的驱动级和输出级均采......
