研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V......

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常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-......