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现代无线通信技术的发展给毫米波无线通信带来了新的应用场景,如何设计高集成度、低成本的毫米波前端电路成为了研究热点。与目前......
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氮化镓晶体管可耐受极度高温,并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件.此类器件的......
背景 随着经济的增长，人们的日常活动中越来越依赖电子化的数据和设备。这为功率电子产业的增长注入了动力，人们正在致力于提高供......
描述了一种串联微波MEMS开关的设计、制造过程,它制作在玻璃衬底上,采用金铂触点,在DC～5GHz,插损小0.6dB,隔离度大于30dB,开关时间......
描述了一种串联微波 MEMS开关的设计、制造过程 ,它制作在玻璃衬底上 ,采用金铂触点 ,在 DC～ 5 GHz,插损小于 0 .6 d B,隔离度大于 ......
采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路......
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 00......
微波射频开关阵列是无线通信的重要元件。与传统的PIN二极管和CMOS固态开关相比，射频微机电（RF MEMS）开关具有尺寸小、隔离度高、插入......
随着无线通信技术的不断发展,现代微波系统对成本和集成度的要求越来越高,因此,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺将微波收发系......
