动态导通电阻相关论文
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
氮化镓（Gallium Nitride,GaN）高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）作为宽禁带半导体器件,在工作电压、开关频......
GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化。为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关......
研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该......
GaN作为第三代半导体材料的典型代表,因其具有大的禁带宽度、高载流子迁移率、高饱和电子速度等优异特性而得到广泛的关注。氮化镓......
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因具禁带宽度宽、电子饱和速率高、临界击穿电场高、介电常数低等优点,使其在高电子迁移率晶体管(HEMT)等......
