反向恢复特性相关论文
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
GaN功率器件具有临界电场高、开关速度快、载流子迁移率高等优点,广泛应用于高频桥式电源系统中。在桥式系统中,GaN功率器件需依靠......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
在对SiGe材料、SiGe/Si异质结性质以及超结结构特点、性质等方面研究的基础上，本文提出了超结和半超结SiGe功率开关二极管。相比传......
为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,以最大通流150kA、耐压5.2kV的脉冲晶闸管为研究对象......
功率二极管的反向恢复电流增加了与其互补导通的开关管的开通损耗,使电力电子电路的损耗模型复杂化。传统的功率二极管反向恢复特......
随着电力电子技术的快速发展，逆变器已被广泛地应用在工业、民用等各个领域。如何进一步地提高逆变器性能成为了逆变技术研究领域的......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由......
随着功率器件向着大容量、高频率方向的发展,对续流二极管也提出了更严格的要求,硅作为自然界最丰富的材料之一,以硅为基础的功率......
近些年来,智能功率驱动芯片因为自身高效率和高可靠性的优点得到越来越多的关注。在智能功率驱动芯片中,快恢复二极管(FRD)主要作......
近年来,集成电路产业高速发展,如何提高电源管理系统的效率方面的研究显得越来越重要。对于一个几十伏的低压功率沟槽MOSFET,其主......
目前,单片集成智能功率芯片在家用电器和交流电机中得到了广泛的应用。厚膜绝缘体上硅快恢复二极管(Silicon On Insulator-Fast Re......
自二十世纪五十年代以来，硅二极管就开始应用于电力电子系统中，但二极管在现代电力电子学中的作用总是被低估，尤其在逆变电路和变频电......
目前能源供不应求，“开源”和“节流”是两条最根本的解决途径。利用功率半导体器件提高系统的效率，降低能耗，属于“节流”的范畴，而发......
肖特基势垒二极管（Schottky Barrier diodes，SBD）是利用金属与半导体之间的接触势垒进行工作的功率器件，适合在低压、大电流输出场合用......
本文主要利用二维器件模拟软件ISE-TCAD对高压大功率4H-SiCSBD进行模拟分析。通过对传统的SiC SBD和JBS的正反向特性进行研究分析，......
