化学气相传输法相关论文
过渡金属硫族化合物（TMDs）是一种典型的层状材料,其在常温常压条件下会表现出优越的光学、电学性能,并且TMDs可有效克服石墨烯电子带......
ZnO单晶是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV、激子束缚能高达60meV，在短波长发光二极管、紫外半导体激光器等......
化合物半导体材料具有优异的电学和光学特性，广泛应用于制造发光二极管、激光器、探测器等光电子器件以及微波、毫米波器件和电路，对......
硫族化合物材料由于其特殊的物理化学性质,在半导体相关领域具有不可替代的重要性,在热电领域也有着广泛的应用。而薄膜形态的热电......
氧化锌是一种优良的半导体氧化物，在光电子学、生物学以及化学等领域都表现出了独特的物理和化学性能，例如显著的量子限域效应、优良......
ZnO作为新一代直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，县有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。室温下禁带宽度为337eV，并......
化学气相传输法制取无水DyBr3,以Dy2O3为原料,无水溴化铝为溴化剂和传输介质,Dy2O3(s)与过量的溴化铝反应,生成DyBr3(s).无水溴化......
利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞......
本文以氯化铝作为络合物配体与稀土氯化物形成气态络合物。研究了相邻稀土元素氯化物之间火法分离的可能性，结果表明，二元系分离系数......
外尔半金属是当两个自旋非简并能带在三维动量空间通过费米能级附近时,其低能准粒子激发具有外尔费米子的所有特征的一类材料体系......
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47......
到目前为止对多铁性材料研究取得了大量的成果,但也存在着一些问题:第一类多铁材料的磁电耦合效应很弱;第二类多铁材料的铁电极化......
