化学水浴相关论文
ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.6-3.8ev，在光电方面有很好的应用。国内对用化学水浴法制备ZnS薄膜一直没有......
采用化学水浴法(CBD)制备ZnS薄膜,用NKD-7000v薄膜分析系统测试薄膜的透过率和反射率,拟合出薄膜厚度和吸收系数。研究了制备过程......
采用化学溶池沉积法在玻璃衬底上制备ZnS薄膜。为了解联氨在沉积过程中的作用,采用金相显微镜、XRD、nkd-薄膜分析系统对薄膜形貌......
采用化学水浴法和磁控溅射法分别在AZO、FTO、ITO透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜，利用扫描电镜、XRD以及透射光谱等测试手段，研究......
采用化学水浴法在玻璃上制备了太阳能电池中的ZnS缓冲层。采用SEM、EDS、XRD和nkd-分光光度计等手段研究了水浴温度对ZnS薄膜的表......
基于化学水浴法,以硫代乙酰胺为硫源、氯化镉为镉源、尿素为缓冲剂,在酸性条件下制备了CdS薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电......
柔性CIGS薄膜太阳电池中硫化镉缓冲层起着至关重要的作用，采用化学水浴沉积法结合卷对卷制备工艺制备缓冲层硫化镉薄膜，由此法可使柔......
期刊
采用化学水浴法在不同衬底上制备了CdS薄膜.测试表明,所制备薄膜具有良好的致密性且晶粒大小均匀、表面平整;随着薄膜厚度的增加,......
采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜,研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示,不同衬底温度下制备的......
期刊
从各反应条件对薄膜生长及其性能影响的角度,对CdS缓冲层的制备工艺进行了评述,并对新型无镉缓冲层的研究进展给予了重点介绍。最......
