ZnS薄膜相关论文
ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文......
随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近......
本文采用磁控溅射法结合硫化法制备了Zn S薄膜和Zn S:Cu薄膜,并使用XRD,SEM,EDS,AFM,拉曼光谱,慢正电子束多普勒展宽能谱和UV-Vis......
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出ZnS薄膜.薄......
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探......
采用化学水浴法(CBD)制备ZnS薄膜,用NKD-7000v薄膜分析系统测试薄膜的透过率和反射率,拟合出薄膜厚度和吸收系数。研究了制备过程......
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、......
采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结......
采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对Z......
研究了pH值对电沉积ZnS薄膜结构、成分和表面形貌的影响。由薄膜的成分和结构分析可知：pH值高会使薄膜中的锌含量增加，薄膜变厚，且Zn／S......
利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的......
介绍了ZnS薄膜缺陷的分类、特点及成因，在此基础上，采用电子显微镜与原子力显微镜对不同沉积方式沉积的薄膜进行了观察、分析与计算，......
综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望......
采用化学溶池沉积法在玻璃衬底上制备ZnS薄膜。为了解联氨在沉积过程中的作用,采用金相显微镜、XRD、nkd-薄膜分析系统对薄膜形貌......
采用化学水浴法,以乙酸锌、硫脲、氨水和去离子水为反应前驱物制备了Zn S薄膜.采用SEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究了......
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量......
The electroluminescence thin films doped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by ......
采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜，用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应......
用脉冲激光沉积（PLD）技术以多孔硅（PS）为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光（PL）光谱.结果发现,......
利用恒电位电沉积技术实现在ITO导电玻璃上沉积ZnS薄膜，用X射线粉末衍射、扫描电镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对制得的薄膜进......
基于化学浴沉积法，采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜．对在不同沉积时间......
以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积 Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1 atm 压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂和分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功制备......
在离子束辅助镀膜工艺中,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素.本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究,给出了离子源......
用脉冲激光沉积（PLD）方法在多孔硅（Ps）衬底上沉积了ZnS薄膜。用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计分别研究了ZnS薄膜......
采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基......
用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见......
采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-V......
采用了化学水浴法制备异质结薄膜太阳电池中的窗口层ZnS薄膜。尝试了酸性溶液制备ZnS薄膜，讨论了溶液成分、水浴时间和温度对薄膜成......
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件（OLEDs）的空穴缓冲层，使典型结构的OLEDs（ITO／TPD／Alq／LiF／Al）的发光性能得到改善。ZnS缓冲层......
为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度（200－500℃）对ZnS薄膜的结构和光电性能......
用脉冲激光沉积（PLD）的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜，并在室温下研究了ZnS／PS异质结的结构、光学和电学性质。X射线衍射仪（XRD）测量......
利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度.实验结果表明,在线......
以普通玻璃作为衬底用化学水浴法制备ZnS薄膜,溶液采用联氨体系.在沉积过程中,NH3浓度对ZnS薄膜本身的透明度、均匀性、平整性和透......
对于硅基太阳电池来说,背场是高效率的先决条件之一。背场起到的关键作用在于其能够阻挡少子载流子并且传输多数载流子来提高电池......
采用化学水浴法在玻璃上制备了太阳能电池中的ZnS缓冲层。采用SEM、EDS、XRD和nkd-分光光度计等手段研究了水浴温度对ZnS薄膜的表......
利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS（ZnS∶Ga）薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌......
硫化锌(ZnS)作为一种重要的宽禁带半导体材料,由于其表现出来的优异的光电性质,在薄膜晶体管、光电探测器、太阳能电池等应用领域......
在A（ZnSO4、SC（NH2）2、NH4OH）和含有联氨的B（ZnSO4、SC（NH2）2、NH4OH、（NH2）2）两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜，研究了联氨对薄膜沉积......
在含有ZnSO4,SC（NH2）2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶......
利用射频辅助脉冲激光沉积技术，研究了退火处理对制备ZnS薄膜的影响。利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对制备样品的结构、形貌......
采用磁控溅射方法在不同时间下沉积了Zn薄膜,接着先后在200℃和400℃温度下的硫蒸气和氩气氛中进行了低温硫化退火,时间都为1 h,最......
综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用，主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学......
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温下沉积了Zn薄膜,接着将薄膜在硫蒸气和氩气氛中于200℃预热1 h,然后升温至250~500℃退火1 h。以......
用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度为100 nm左右的ZnS薄膜,利用X射线衍射（XRD）、紫外可见光分光光度计（UV-vis Spectrophotom......
利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了-系列ZnS薄膜.利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-......
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300......
宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料如ZnS、ZnSe因其优异的光电特性成为蓝绿半导体发光和激光光电子器件的重要候选材料。如果利用外延技术，在......
