化学湿法腐蚀相关论文
提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H......
研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程，其中HF(40％)／CrO3(33wt%)腐蚀液比较适合，用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况......
研究了不同腐蚀体系对InAs／GaSb超晶格材料台面的刻蚀，并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合In......
InP基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H2O2混合液作为InP基HEMT......
本文利用动态掩膜湿法腐蚀技术，首次研究了 HCl/HF/CrO3 溶液对与 InP 衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy (y=0, 0.2, 0.4, 0.6)材料的......
论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程.用扫......
