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回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况.结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧......
本文采用强场图像处理三角对称晶场d2,d8电子组态的完全能量哈密顿矩阵元(45×45),并且考虑了共价效应的影响。采用了分子轨道方法,计......
通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。......
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍......
3d3(Cr3+,V2+)和3d7(Co2+,Ni3+)离子是比较活跃的过渡金属离子,在谱学研究中扮演着重要的角色。3d3和3d7离子掺入不同的物质中常表......