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报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试......
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN异质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4W／mm。通过材料结构及生长条件的......
基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN/GaN HEMTs功率器件,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度0.784 A/mm......
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN／GaN HEMTs功率器件．为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器......
