最高振荡频率相关论文
毫米波AlGaN/GaN HEMT的应用进程中,器件的频率特性是至关重要的。其中,器件的电流增益截止频率fT和最高振荡频率fmax更是标志高频......
双层多晶硅自对准(DPSA)结构较高的外基区连接电阻已成为SiGe器件频率提升的重要限制因素,改进器件外基区连接工艺提高器件频率已......
基于SOI技术原理，模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性，并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示，SOI结构中......
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截......
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频......
提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)，该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来......
提出了一种功率AlGaAs／GaAsHBT的自加热温度模型，讨论了在大电流条件下，器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响，并对......
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件......
在分析影响fmax的因素后,导出了fmax与载流子迁移率的关系式,指出fmax不仅与少子迁移率有关,也与多子迁移率相关,是一种综合效应。......
在微波毫米波应用中,提高AlGaN/GaN HEMT器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax是研究工作中的重中之重,而提升器件频率特性最简单有......
