单晶SiC相关论文
作为第三代半导体材料,SiC具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率和低相对介电常数等特点,被广泛应用于5G通讯......
随着5G无线通信技术及智能电动车技术的高速发展,对半导体器件的研发与制造提出了越来越高的要求。单晶碳化硅（SiC）作为性能优异的第......
目的提出结合磁控磨料定向和固相芬顿反应的研抛方法,研制新型研抛盘,提高单晶Si C精密加工效率及表面质量。方法通过磁场控制磁性......
单晶碳化硅(Sic)是一种硬度仅次丁于金刚石的典型硬脆材料,由于良好的物理和机械性能,在大功率器件以及Ic行业应用广泛,但高的硬度......
目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制,已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求.SiC作为新一代......
单晶Si C硬度高、脆性大,加工困难,在塑性域加工时处于纳米尺度才可明显改善表面质量、获得高的精度。而单晶Si C的切削机理研究使......
磁流变液是一种新型的流变特性可控的智能液体，具有较强剪切效应而广泛应用于航空航天等领域。通过改性羰基铁粉和原始羰基铁粉性能......
单晶SiC是一种性能优良的宽禁带半导体材料,其在高温、高频以及高功率电子器件的制造方面正获得越来越广泛的应用。在SiC表面生长......
为了研究单晶SiC的微观力学性能和加工方式,开展了单晶6H-SiC（0001）的微纳米压痕试验,并采用ABAQUS软件对纳米压痕过程进行了数值仿......
根据声发射理论，采用金刚石刀具在自动划痕仪上进行SiC单晶塑脆转换的临界条件实验，建立了SiC划痕实验过程中的声发射（AE）信号模型，利用......
文章通过探讨在划片机上用金刚石超薄锯片对单晶SiC进行划切实验,测量并分析不同金刚石粒度的锯片在不同的划切工艺参数下的划切力......
单晶SiC因其优异的物理化学性质而成为重要的外延衬底材料,广泛应用于卫星通信、集成电路和消费电子等领域。衬底外延生长需要单晶......
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置，对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明，金刚石磨料对单晶SiC......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
期刊
随着5G通讯、人工智能(AI)等高新技术快速发展,对集成电路(IC)的发展及制造提出了更高的要求。单晶SiC作为宽禁带的第3代半导体材......
在自然界中,具备从纳米到微米多尺度特征的微纳复合结构赋予了生物表面独特的光学、力学、润湿性等性能。通过仿生学手段,制备与生......
从锯切力的角度对金刚石线锯锯切单晶SiC材料的加工过程进行了研究。得出了线速度、进给速度、线锯张紧力对锯切力的影响规律。从......
期刊
SiC作为第3代半导体材料,与Si、GaAs相比,具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,非常适于制作高温、高......
