单电子存储器相关论文
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器......
６单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合［３］，这与传统的大规模集成电路原理不同。基于这种单电子器件的集......
纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非......
采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对......
本文采用准经典近似的Monte Carlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟.研究结果表明,由于台阶状的复合......
传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效......
由单电子晶体管（single—electron transistor，简称SET）构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点，可望成为继CMOS存储器之后......
介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟，得......
我们制备出了高温Si单电子晶体管，研究了单电子晶体管的集成原理，实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。......
