双层多晶硅相关论文
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT，并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数，并进行了流片测试，......
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、......
本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOC......
本文介绍了一种窄频带、无调节双外差CMOS调频接收机的实验结果。这种接收机所带的高Q值开关电容中频(IF)滤波器以3MHz为中心。集......
通过解两维泊松方程,对有覆盖的双层多晶硅电极MOS结构进行了数值模拟.模拟结果表明,电极覆盖明显降低了双层多晶硅电极间隙的势垒......
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCE......
