原位掺杂相关论文
以含钛高炉渣（钛渣）为原料，KOH与Fe2O3为改性剂，采用高温焙烧法进行矿物相重构，得到了一种具有土壤修复功能的缓释肥料（重构钛渣）。紫外光......
本论文针对目前碳包覆工艺存在的材料振实密度低的缺点(0.8 g cm-3),对磷酸铁锂和磷酸铁锰锂材料的碳包覆工艺过程进行了改进。采......
金属氧化锌(ZnO)是一种重要的半导体功能材料,因其自身的一些电学和光学的性质被认为是一种理想的材料经常用于半导体传感器、光催......
随着石化资源的日益枯竭,越来越多的科研工作者把目光聚焦到了可再生的生物质资源上。近年来,我国速生丰产林（杂交松）种植面积广,产......
随着社会的发展,人类对不可再生的矿产资源需求量急剧增加,因此,在金属冶炼中会产生大量的冶金固废以及有毒有害气体。例如:攀钢主......
ZnO是一种比较多见的半导体材料,因为其拥有制备原料易得、合成过程简单、造价低、对环境污染小等优势,所以经常被用于构建各种气......
在光电催化降解有机物以及分解水产氢体系中,由TiO2与BiVO4复合形成TiO2/BiVO4异质结光阳极,具有提高载流子的寿命,加快光生电子空......
学位
利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅......
近年来,随着人们对健康生活和环境保护的越来越重视,因此对一些易燃有毒气体的有效检测具有十分重大的意义。由金属氧化物半导体材......
本论文的主要内容是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索，摸索一种新的材料制备方法—基于电子回旋共振......
立方氮化硼(c-BN)是Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物，具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性。适合......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙III-V族化合物半导体材料，它有许多优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的......
Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与......
研究了CuO-TiO2复合纳米粉制备方法以及原位掺杂Al2O3微波介质陶瓷．采用溶胶-凝胶法低温合成出平均粒径为50nm的CuO-TiO2复合纳米粉......
在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程......
采用两级反应器,将盐溶液MgCl2.6H2O、AlCl3.6H2O、ZnCl2.6H2O和沉降剂Na2CO3、NaOH进行反应成功制备出Zn2＋原位掺杂型LDHs纳米晶。......
作为一种新型能源技术,燃料电池具有能源转化效率高、燃料可再生、运行安全清洁等优点,因而在应对全球持续增长的能源、环境问题方......
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基......
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的......
燃料电池作为新一代能源转换技术,受限于阴极氧还原过程(ORR)中对铂基催化剂的依赖,无法实现大规模的商业化应用。过渡金属和氮共......
挥发性有机化合物(Volatile Organic Compounds, VOCs)是一类主要的大气污染物,其来源非常广泛,包括汽车尾气、化工生产以及垃圾填......
纳米二氧化钛是一种重要的无机功能材料.以化学沉淀法制备了纳米TiO2以及Al/Si原位掺杂纳米TiO2粉体,利用透射电镜(TEM)、差热式扫......
成本低廉、环境友好、高能量密度与功率密度的二次电池一直是储能技术研究的热点和难点。有机物以其资源丰富、种类繁多、环境友好......
本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOC......
以落叶松木屑为原料,SiO2为孔结构调控剂,采用一步原位掺杂法制备了落叶松基SiO2@C复合材料,探讨了炭化温度、模板剂SiO 2对复合材......
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设计和可控构筑具有一定微观形貌的新型微纳米材料,是一个新兴的研究热点领域。这些新型的微纳米材料由于具有特殊形貌,暴露出某些......
ZnO材料的激子束缚能为60meV,是一种具有优越的光电性质的宽带隙半导体材料,在紫外探测器件和激光器等短波长光电器件方面具有重要......
本文设计合成了导热增强型相变储能材料,即以聚乙二醇(PEG)为有机相变组分来实现储能和释能,以SiO2为无机支撑骨架来实现定形,通过......
由于地壳中钠资源在丰度和分布上相对于锂资源的优势,钠离子电池（SIBs）成为未来取代锂离子电池（LIBs）最有前景的能源存储体系之一。然......
本文利用多巴胺易聚合、易还原和较强金属配位能力的特性,制备了聚多巴胺（PDA）包覆SiO2,表面键合Co2＋,在氮气氛围条件下,于800℃煅烧......
六方氮化硼（hBN）是一种人工合成的宽禁带半导体材料,禁带宽度达到了6eV,属于准直接带隙材料。其具有许多优异的物理和化学性质,并且,......
CO催化氧化不仅是一种典型的多相催化反应模型,而且在气体净化方面也有许多实际用途。用喷雾燃烧一步法制备了TiO2负载Pt的催化反......
全耗尽超薄绝缘体上硅技术可作为MOSFET 22nm及其以下技术节点主要可选技术中的一种。但该层极薄薄膜对传统的注入工艺来说,具有极......
本工作采用高频感应化学气相淀积（HFCVD）技术，以SiH4为反应气体源，在石英衬底表面上制备了大晶粒多晶硅（pc-Si）薄膜。实验研究了衬底温度......
活性炭具有发达的孔隙结构和超强的吸附能力,在气体净化、废水处理、溶剂回收、重金属回收、气体存储、双电层电容器等领域有着广......
