针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,......

文中介绍了分别采用聚酰亚胺和CVDSiO2作层间介质，进行2μm×2μm通孔的刻蚀和铝双层布线，其成品率均可达到100％，介质对一次铝的覆......

论述了大规模集成电路双层布线中起介质和钝化作用的磷硅玻璃（ＰＳＧ）的淀积条件、厚主以及实际中的若干问题。......

随着集成电路技术的发展,双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索,通过对......

对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffere......