双层布线相关论文
介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法.通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样......
本文主要介绍一种实用的双层布线介质平坦化工艺—旋涂玻璃(spin-on-glass),对SOG的分子结构、工艺流程、等离子刻蚀、平坦化等进......
分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层......
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,......
文中介绍了分别采用聚酰亚胺和CVDSiO2作层间介质，进行2μm×2μm通孔的刻蚀和铝双层布线，其成品率均可达到100％，介质对一次铝的覆......
钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研......
论述了大规模集成电路双层布线中起介质和钝化作用的磷硅玻璃（ＰＳＧ）的淀积条件、厚主以及实际中的若干问题。......
对部分耗尽CMOS／SOI工艺进行了研究，成功地开发出套部分耗尽CMOS／SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括：PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离、......
在超大规模集成电路的设计中,通常需要尽可能地减少布线时产生的导孔,因为导孔数是影响集成电路成品率、可靠性及各种电性能的重要......
本文提出了一个新的通孔最少化层分配的图模型，该模型克服了传统层分配算法对通孔度数和位置的限制，允许通孔自由地以任意度数和任何......
讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物......
随着集成电路技术的发展,双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索,通过对......
对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffere......
