双频容性耦合等离子体相关论文
双频容性耦合等离子体源（DF-CCP）是最近几年发展起来的一种新型的等离子体源,它通过采用一个高频源和一个低频源来共同激发等离子体,......
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双频容性耦合等离子体(Dual-Frequence Capacitively Coupled Plasmas,DF-CCPs)可以实现对轰击到基片表面的离子通量和能量单独控......
双频容性耦合等离子体（Dual-Frequency capacitively coupled plasma）由于可以独立控制离子通量和离子能量,且结构简单,成本较低,在......
随着微电子工业的迅速发展，集成电路集成度的不断增加和特征尺寸的不断减小对等离子体源提出了均匀性好、面积大、刻蚀速率高等要求......
近几年来，在等离子体刻蚀工艺中，对放有基片的极板上同时施加高频和低频两个射频偏压的双频容性耦合式放电的刻蚀工艺越来越受到关注......
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采用发射光谱结合碰撞辐射模型的方法,研究27.12和2.00 MHz双频电源放电时单极双频(两个射频电源接在一个电极上)和双极双频(两个......
研究了气压对双射频氩氧混合等离子体电子温度和电子密度的影响。在13.56MHz低频功率和94.92MHz高频功率固定为60W和氩氧气体比为1......
半导体工业的迅猛发展推动了低温等离子体加工技术和加工工艺的不断改进。为适应超细线宽介质的精确刻蚀,人们提出了双射频激发的......
双频容性耦合等离子体（dual-frequency capacitively coupled plasma DF-CCP）源可产生大面积均匀等离子体,并且具有优良的控制性能、......
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等离子体刻蚀是超大规模集成电路制造工艺中最为关键的工艺流程之一,是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板......
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利用四极杆质谱仪研究了Ar／O2混合气体放电中低频频率和O2含量对离子能量分布和平均能量的影响。研究结果表明当低频频率增大时，离子......
石墨烯（graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成的六角形晶格结构的只有一个碳原子厚度的二维薄膜材料。石墨烯非常独特的晶体结......
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建立了一个适用于低气压下双频容性耦合氩(Ar)等离子体的碰撞辐射模型,在试验仪器和条件不变的情况下,发现电源频率对该模型的影响......
双频容性耦合等离子体源(Dual Frequency Capacitively Coupled Plasma, DF-CCP)不但能够产生大面积均匀的等离子体,而且能够独立......
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双频容性耦合等离子体(Dual-frequency capacitively coupled plasma, DF-CCP)源是半导体工业中重要的刻蚀设备。双频容性耦合等离......
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双频容性耦合等离子体源(Dual Frequency Capacitively Coupled Plasma, DF-CCP)由于具有独立控制等离子体密度和轰击到极板表面上......
双频容性耦合等离子体（dual-frequency capacitively coupled plasma DF-CCP）源是半导体工业中重要的刻蚀设备,由于其可以产生大面积......
本文采用相分辨发射光谱法对低气压双频容性耦合氩气、氧气和氩-氧混合气放电等离子体进行了时间空间分辨实验研究,并讨论了不同放......
采用相分辨发射光谱法,对双频容性耦合纯Ar和不同含O2量的Ar-O2混合气体放电等离子体的鞘层激发模式进行了探究.放电腔室耦合电源......
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双频容性耦合等离子体(Dual-Frequency Capacitively Coupled Plasmas, DF-CCPs)能够独立控制轰击到基片表面的离子通量和能量,从......
超大规模集成电路生产工艺正朝着晶圆尺寸不断增大,集成度不断增加,刻蚀线宽不断减小的方向快速发展。能够提供高刻蚀速率、高刻蚀......
