发光谱相关论文
研究了掺杂得到的SrSO:Eu(0.1mol％)的粉末样品的热释光(TL)发光曲线和三维光谱.用Sr的β射线辐照0.116~1.16kGy后,测到的热释光峰发......
从ＣＮ的高激发态化学发光谱研究Ｆ和Ｎ原子与卤代甲烷反应的动力学周士康，周金刚，詹明生，胡正发（中国科学院安徽光机所激光光谱开放实验室北京......
聚对苯乙炔（ＰＰＶ）及其衍生物具有独特的光电性能，是目前性能最好的电致发光材料［１］．ＰＰＶ及其衍生物的合成一直受到人们的关注，国内外大都采用Ｗｅｓｓｌｉｎｇ等人发......
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的......
我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理,用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品,获得10-......
近二十年来在矿物学中形成了一门新的分支学科——矿物物理学。矿物发光研究是这门新学科的一个组成部分。本文就其研究概况、基......
目前国内生产的热发光仪和从国外引进的热发光仪只能测量热发光曲线而不能测定热发光谱,因而不利于矿物的热发光研究和应用工作。......
热发光现象虽然早在十七世纪就已被发现,但是由于从理论上没有很好解释它,所以迟迟得不到广泛的应用和发展。六十年代末,利用电子......
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格......
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度......
测量了Ｃ６０，Ｃ６０／Ｃ７０混合物分别在甲苯和１－甲基萘中的激发谱和荧光光谱，用５３２ｎｍ波长光为激发源．比较了纯Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０混合物的荧光特性，对所观察到的发光谱进行了讨论......
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带......
通过引入描写ｔ２ｇ轨道和ｅｇ轨道间差别的两个共价因子Ｎ，Ｎｅ，从而在计算静电相互作用时包含了Ｒａｃａｈ参量Ａ的贡献．通过分析讨论共价性对谱项能级的影响，建议......
测量了SrSO_4;Eu(摩尔分数为0.1％)和CaSO_4;Eu(摩尔分数为0.1％)的光释光发光谱和热释光发光谱,得到SrSO_4;Eu的光释光发光波长与热释......
本文较系统的研究了Y掺杂对PWO晶体闪烁性能的影响。采用提拉方法生长掺杂的PWO晶体，掺杂离子Y3+以氧化物Y2O3的形式加入熔体.掺杂......
本文中，在强场图像下应用精确的完全对角化的方法，以及近似等效的SEMI-SCF d轨函理论。计算了掺有Mn2+的Bi4GeO12晶体的吸收光。理论......
LED发光模拟从点光源,转换为微纳导光膜面光源作为开发应用设计与研论,利用发光模拟软件,将LED灯发出点光源与面光源可以通过软件......
测量了SrSO4:Eu(摩尔分数为0.1%)和CaSO4:Eu(摩尔分数为0.1%)的光释光发光谱和热释光发光谱,得到SrSO4Eu的光释光发光波长与热释光......
我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80n......
测量了SrSO4:Eu(摩尔分数为0.1%)和CaSO4:Eu(摩尔分数为0.1%)的光释光发光谱和热释光发光谱,得到SrSO4Eu的光释光发光波长与热释光......
本文报导产自我国几个主要萤石矿床中若干萤石样品的阴极射线发光谱.除样品Mo-25以外,所研究样品发光谱的主要谱线均来源于取代Ca~......
利用时间分辨光谱研究了（AlxGa1-x）0．51In0．49P（x＝0．29）合 金的时间衰退过程，观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱......
利用发光光谱、X射线衍射（XHD）、原子力显微（AFM）等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究。原子力显微图样表明样品表面出现......
用关上的轨道理论，我们在金属表面附近给对 Rydberg 氢原子的清楚的物理图画描述并且推测 Fourier 在电离阀值下面在不同放大精力转......
实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方......
采用熔融淬冷法制备掺Pr^3＋（0.1%,0.3%,0.5%,0.7%）（按物质的量计算百分数,下同）的0.64GeS2-0.16Ga2S3-0.2KCl硫卤玻璃.测试玻璃的光学吸......
采用二次阳极氧化法,制备了高度有序多孔氧化铝膜.研究了多孔氧化铝膜的光透过、光发射特性.结果表明,当波长低于290 nm时,透过性......
对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射......
镶嵌在分子筛骨架中的4直径的单壁碳纳米管可发出高效的、位于可见光区的光致发光.发光谱呈较宽的线形,其效率约为1%-5%.无论是......
研制了掺Eu、Mn的CaSO4磷光体，测量了它的热释光的二维和三维发光谱，发现不同的热处理温度，可以改变样品中Eu^2+与Eu^3+的浓度比，提高......
研究了掺杂得到的SrSO4：Eu(0．1mol％)的粉末样品的热释光(TL)发光曲线和三维光谱。用^90Sr的β射线辐照0．116～1．16kGy后．测到的热释光峰发......
在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并......
本文研究了与量子点分子实验和理论有关的两个重要问题：（1）半导体自组织量子点在量子阱（DWELL）中的电子能谱结构及光学性质，分析了结构参......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但ZnO薄膜中存在各种缺陷,它们是制约ZnO发光性......
随着人们对ZnO薄膜材料发光特性的不断深入,发现了不同能量位置的多个发光峰,本文对用不同方法制备的ZnO薄膜材料的发光谱、发光特......
