本文选用密度泛函B3LYP方法在Lan L2DZ基组上对Au Gen+(n=2~9)团簇的几何结构和电子性质进行了理论研究,其中包括结构优化、平均键......

锗具有较硅更高的电子迁移率，因此可以作为半导体材料中重要的硅替代物。对于锗团簇的研究将为构建锗基材料提供重要的研究基础。与......

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80n......

采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构，锗晶体团簇的轮廓较......

基于笼状锗结构预测，本文以Ｇｅ１０为基本结构单元，通过径向和轴向生长两种方法优化了Ｇｅ２０～Ｇｅ４０的一维结构，计算所得锗团簇的国径比和结合能与离子注入......

本文利用尺寸选择的负离子光电子能谱和理论计算探索Au2Gen^-/0 (n=1∽8)团簇的结构演化和电子性质.通过比较理论模拟谱与实验谱,......

利用光电子能谱及密度泛函理论计算对TiGen^-（n=7-12）团簇的几何结构及电子特性等进行了系统研究．对于TiGen^-负离子及中性TiGen，在n=8......

采用蒸发法在不同条件下制备了不同大小的嵌埋团簇Ge:CaF2膜，团簇尺寸介于2．1nm－7．8nm。电子衍射分析表明，Ge:CaF2团簇为微晶结构，晶格常......