器件耐压相关论文
多电平变换器有着低开关器件耐压需求、输出波形质量优秀等优势而得到越来越多的应用,人们对多电平技术的研究也使电平数的提高成......
一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.......
本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜......
本文介绍了VDMOS器件工艺流程中产生的一种常见的寄生结构--划片槽中的寄生P-well，并以200V VDMOs器件为例，通过器件模拟验证寄生P-w......
会议
本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路......
本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSU......
本文提出了一种新型的横向高压器件结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺......
1、产品及其简介rn1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平.......
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区，制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明：Ga的线性缓变分布和SiO2薄......
基于第三代宽禁带半导体GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)由于其广阔的高频大功率......
