1、产品及其简介rn1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平.......

利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区，制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明：Ga的线性缓变分布和SiO2薄......

基于第三代宽禁带半导体GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)由于其广阔的高频大功率......