电荷控制模型相关论文
An optical bandwidth analysis of a quantum-well (16 nm) transistor laser with 150-\mum cavity length using a charge con......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构，在理论......
以光照下耗尽型 ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管为例，考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应，采用器件的电荷控制模型，分析了光照......
推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现......
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场......
利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型......
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）已经成为了电力电子行业快速增长一个分支。......
针对忆阻器尚未商业化的现状,为了给忆阻器的相关研究提供一种可替代的仿真器,在HP模型的基础上推导出一种简单通用的电荷控制模型......
基于第三代宽禁带半导体GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)由于其广阔的高频大功率......
相比于其他很多半导体材料,GaN材料具有很大的带隙宽度、较大的饱和漂移速度、不错的热稳定性,高击穿电场等特征,这使得它能够被很......
电荷控制模型描述了器件导电机构在栅压调控下变化的规律，它是场效应器件建模的核心部分之一。目前，场效应器件的电荷控制模型有两种......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构,在理论......
以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例 ,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应 ,采用器件的电荷控制......
