埋栅相关论文
单原子层石墨烯因其在电学、力学、热学和光学方面的优异性能,自2004年被发现以来,便一直备受各领域科研工作者的青睐。其中,采用......
提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子......
期刊
以常规多晶硅光伏电池为基础,在多晶硅衬底上沉积一层p型非晶硅薄膜,构成具有“窗口效应”的p-p型异质结。该电池无需复杂的生产工......
本文通过介绍掩埋栅SITH存在的优点和不足,提出了优化的掩埋栅型结构,并对其制造工艺进行具体讨论。静电感应晶闸管(SITH)是一种近......
运用二维器件模拟器ISETCAD对4H—SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟，重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比，埋栅......
