埋沟相关论文
成功地研制了八元线阵红外ＣＣＤ多路传输器。该器件为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％，非均匀性±５％，信号输出......
采用三相埋沟结构，设计并研制成功用于高背景下红外探测器的高灵敏度4×128元TDICCD信号处理器件。器件转移效率99．99％，动态范围60dB，时......
研制了 4 H - Si C热氧化生长氧化层埋沟 n MOSFET.用室温下 N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区 ,然后在 16 0 0℃进行激活退火 .......
采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达4......
本文介绍了利用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制的16抽头512×512元高帧速可见光CCD.测试结果表明,该器件具有高的光响应均匀......
随着CCD的不断发展，已经能够做到埋沟CCD的复位噪声为其主要噪声源。而相关箝位采样保持（CCSH）电路正是抑制噪声的有效的低噪声电路。......
本文介绍了提高转移效率、降低噪声的途径,分析了影响 CCD 转移效率的因素,阐明了埋沟原理。简要介绍了埋沟 CCD 的研制工艺及实验......
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设......
Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe te
底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型，相反地首先发生的层......
研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET，用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区，然后在1600℃进行激活退火，离子注入所得到的......
碳化硅材料有着包括禁带宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度快等等物理性质方面的优势,这决定了碳化硅材料在高温、高频、高辐射等......
SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......
