外延生长工艺相关论文
InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术......
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χG......
电子级的三氯氢硅(TCS)作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响硅外延层的性能。一般三氯氢硅(TCS)的纯度，除采用化学分析方法......
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χG......
本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
GaN是一种宽禁带半导体材料,它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质,近来受到人们的广泛关注。GaN基材料广泛地被用于蓝、绿......
SiC材料具有许多优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。本文对同质外延4H-SiC外延薄膜的生长进行了研究。 ......
【正】 本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物......
InxGa1-xAs材料具有独特的物理特性,可以通过调节In和Ga的组分来改变材料的带隙宽度Eg。该材料自进入多结空间太阳电池领域以来,就......
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(P......
文章采用化学气相沉积方法(CVD)在6英寸<100>晶向的重掺Sb硅衬底(0.01~0.02Ω·cm)上生长N/N+型硅外延片,采用SRP扩展电阻测试测试......
