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失配应力释放相关论文
大失配InGaAs异质结的MOCVD生长与材料特性研究
In GaAs是1-3μm近红外波段重要的探测材料。高In组分的InxGa1-xAs(x>0.53)由于没有同质衬底,在生长中则会出现晶格失配,使外延层质......
学位
InGaAs
晶格失配
两步生长法
低温缓冲层
界面位错
失配应力释放
异质结带阶结构
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