导通电压相关论文
分析了大电流整流电路因整流器引起的散热困难问题和正向电压引起的效率下降问题。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向......
首次在室温条件下超声方法直接将金属Zn制备ZnO纳米颗粒薄膜。利用滚压振动磨机械研磨的Zn粉作为原料,采用独特的油相水相混合溶液......
作为双极型功率MOSFET的IGBT(绝缘栅双极晶体管)即将进入正式实用期,其研究开发也已到了追求极限性能的阶段。在形成沟道的阴极侧......
碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相......
根据LC正弦波振荡器的起振原理,利用万用表判断正弦波振荡器工作是否正常....
沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更......
<正> 装上该装置后,外线有电话打进时,同线的电话都能振铃,但无论是接听或打出,只能有一个电话能通话。电路如图。LED1～LEDn是负阻......
在室温下,利用超声活化法将机械研磨13 h的 Zn 粉在V （水）∶V （环己烷）＝19∶1的分散体系中合成 ZnO 纳米颗粒悬浮液,然后通过光还原 AgN......
<正> 二极管的正向特性如图1所示。在小电流起始段存在着严重非线性失真的所谓死区,所以用二极管构成的整流电路时微小信号进行整......
ＯｖｅｒｃｕｒｅｎｔＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆＩＧＢＴｂｙＥＸＢ８４１ＩＧＢＴ由于其开关频率高，通态电流大等优点已为越来越多的用户所接受。目前已广泛应用于变频调速，开关电源等大功率场合。ＥＸＢ８４系列为日本富士公......
本文介绍了与DDZ—Ⅲ型仪表配套使用的24V5A直流稳压电源,它具有工作可靠、功能齐全、结构紧凑、安装方便等特点。文中详细地介绍......
<正> 随着大电流、高电压可控硅元件的发展,可控硅元件在国民经济各部门的广泛应用,迫切要求体积小,重量轻,效率高的散热器。根据......
以商业锌粉为原料，采用超声化学法制备ZnO纳米颗粒薄膜，主要步骤为：滚压振动研磨锌粉；超声分散制备ZnO分散液；分别以聚乙烯醇、硅溶胶为......
本项目是在PVC-Robot A型基础平台BEAM小车的基础上开发的第二个机器人项目，其通过安装绣套太阳能引擎，组成了一台以太阳能为动力的......
分析了大电流状态下将出现的问题,寻找解决方法。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作......
