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基于SOI工艺的CMOS集成电路单粒子瞬态模拟研究
随着工艺尺寸的不断缩减,集成电路的辐射敏感度也在不断增加,传统的体硅工艺已不能满足抗辐射集成电路的制造需求。与体硅工艺相比......
学位
绝缘体上硅
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单粒子脉宽抑制和单粒子测试方法研究
随着工艺尺度的缩减、集成电路复杂度的增加、电源电压的降低以及工作频率的升高,单粒子效应已经成为影响深亚微米集成电路可靠性......
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