单粒子瞬态相关论文
Flash型FPGA具有非易失性配置存储特点,在空间系统中得到广泛应用。本文选取了特征尺寸为130 nm的Flash型FPGA作为研究对象,开展了......
抗辐射集成电路在空间应用中起着保障系统正常运行不可或缺的作用,单粒子瞬态（Single Event Transient,SET）已经成为空间应用中发生......
随着我国航天事业的蓬勃发展,空间辐射环境对半导体器件的辐照损伤也越来越难以忽视。一方面,随着集成电路工艺的发展,器件尺寸也......
空天应用集成电路通常需要工作在恶劣的空间辐射环境中,因此会受到太空中高能粒子轰击从而引发辐射效应。美国国家地理数据中心（NGD......
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性, 选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760......
随着器件向纳米尺度急剧缩减,宇航集成电路对辐射粒子引起的单粒子瞬态效应敏感性急剧增加,脉冲宽度作为衡量单粒子瞬态效应的重要......
随着半导体技术的迅猛发展,数字电路对软错误变得越发敏感。近年来,我国在通信和航天等领域迅速崛起,对数字电路的可靠性和开销提......
基于静态随机存储器(SRAM)的现场可编程门阵列(FPGA)具有开发成本低、使用灵活、开发周期短等一系列优点,但是当高能粒子入射SRAM......
线性稳压器的作用是将有噪声的电源电压变成稳定的、精确的、与负载无关的电压,低温度系数、快速瞬态响应等是其最重要的技术指标......
在太空环境中,天体向外辐射电磁波和高能粒子,形成宇宙射线。这些宇宙射线会对电子器件的稳定性和可靠性造成影响。随着集成电路的......
利用脉冲激光验证高速脉宽调制控制器(Pulse Width Modulator,PWM)单粒子瞬态效应的敏感性和防护设计.试验中,通过改变脉冲激光能......
随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中......
本文以NMOSFET晶体管为研究对象，基于TCAD仿真模拟软件对单粒子瞬态进行模拟分析，系统地研究了温度、线性能量传递(linerenergytrans......
研究了互连线延时对单粒子瞬态脉冲效应的影响.研究发现,随着互连线长度的增加,瞬态脉冲首先被展宽,在一定距离后,脉冲宽度衰减为......
空间环境中存在的大量粒子,其辐射效应,特别是单粒子效应,严重威胁着空间CMOS器件的可靠性。文章首先分析了几种典型的数字单粒子......
在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并......
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原......
单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一.针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计......
工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评......
针对现有容忍单粒子效应的锁存器结构无法同时容忍单粒子翻转（SEU）、单粒子瞬态（SET）,以及未考虑电荷共享导致的双节点翻转（DNU）问题,提......
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真......
针对NM0S场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,......
为了准确评估集成电路的软错误率（soft error rate，SER），文章提出一种新颖的电路SER评估方法。通过门级仿真获得逻辑门输出信号，将产生......
随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.......
随着器件特征尺寸的减小，利用独立电流源进行单粒子瞬态（Single Event Transient，SET）注入的方法与实际脉冲存在很大误差，器件/电路混合......
研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时......
基于65nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路，在重离子辐照下，对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出......
随着工艺尺寸的不断缩小，由单粒子瞬态（SingleEventTransient，SET）效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要......
经典双立互锁单元主从型触发器存在由逆向驱动引起的单粒子翻转情况。为此，通过在主从两级之间插入缓冲器阻断反向驱动路径来解决该......
随着集成电路工艺特征尺寸不断缩小至深亚微米,越来越多的先进微电子电路与系统被应用于航天器中,对器件和电路提出了更高的抗辐射......
随着半导体工艺的不断发展,微处理器芯片朝着更小的特征尺寸、更低的工作电压和更高的时钟频率的方向发展。更高的集成度能够带来......
为了提高芯片抗辐照性能,提出了一种基于电荷共享效应的组合电路软错误率优化布局方法.首先减少已有quenching单元对间距以增强脉......
主要对国内某款抗辐射加固DA器件进行了单粒子瞬态效应的试验研究．被测器件在加速器上采用不同的粒子进行辐照，同时在真空罐外利用一......
随着音频、视频、多用户终端等高度综合化业务在航空航天领域的应用,传统的RS422、1553B等总线所提供的数据带宽已难以满足传输高......
进入21世纪后,在存储电路、时序单元和组合电路中发生单粒子效应(包括单粒子翻转和单粒子瞬态)的可能性继续增加。事实上,对集成电......
学位
体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)是晶体管尺寸缩小到30 nm以下应用最多的结构,其单粒子瞬态产生机理值得关注.利用脉冲激光单粒子效......
使用器件-电路仿真方法搭建了氧化铪基铁电场效应晶体管读写电路,研究了单粒子入射铁电场效应晶体管存储单元和外围灵敏放大器敏感......
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路，设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路，该偏置电路具有较高抗单粒......
设计了一种多通道高速数据采集测控系统,用于监测DC/DC电源在单粒子试验中发生的单粒子效应。系统基于PXIe总线构建,采用程控仪器......
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伴随着我国航天工业和航天活动的不断成长,抗辐照集成电路相关研究经历了从无到有,从弱到强的发展历程,空间辐射效应以及集成电路......
随着我国航天科技的飞速发展,空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。纳米工艺下,节点电容的降低和门延......
我国航天科技的飞速发展,使得空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。随着工艺尺寸的缩减以及时钟频率......
分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触......
随着航空航天事业的飞速发展,电子设备承担任务量将越来越重,航空航天系统对庞大数据传输性能的要求也会越来越高。而高速串行数据......
随着国家综合实力的提升,航天技术得到了快速发展,与此同时宇宙中的航天器的性能要求也越来越高,大尺寸的半导体工艺技术已经无法......
