带间光跃迁相关论文
在最近几年里,宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注,而且在短波光学装置方面已成为最......
在最近几年里，宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注，而且在短波光学装置方面已成为最佳......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN......
近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注.由于InN和GaN之......
近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管......
利用有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究．结果表明：直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中带间光......
低维半导体物理因其独特的物理性质在最近几十年飞速发展，它不仅推动了电子与光电子等物理学科的发展，而且推动了整个世界的经济、金......
