ZnO半导体相关论文
ZnO是一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族直接带隙极性半导体材料,是一种优良的半导体材料.但是目前p型ZnO的制备存在困难,阻碍了ZnO材料的发展.我......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度......
利用水-乙醇混合溶液为溶剂的溶剂热的方法,合成了不同形貌的ZnO纳米-亚微米结构.通过X-射线粉末衍射,扫描电镜,紫外可见光谱等测......
文章综述了ZnO半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从ZnO半导体陶瓷晶界电容与晶界势......
合成了Co掺杂ZnO半导体(Co-ZnO)纳米粒子，并对吸附于基底上的4-巯基苯四酸分子(4-MBA)做了SERS研究。主要讨论了吸附分子之后的电荷......
微/纳米材料的物理和化学性质依赖于它们的尺寸、几何形状、形貌以及排列方式等。具有特定尺寸和特殊形貌的无机微/纳米材料由于在......
在最近几年里，宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注，而且在短波光学装置方面已成为最佳......
利用水-乙醇混合溶液为溶剂的溶剂热的方法，合成了不同形貌的ZnO纳米．亚微米结构．通过x-射线粉末衍射，扫描电镜，紫外可见光谱等测试手段......
本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算，在此基础上依据快速冷却......
