常压烧结相关论文
氮氧化铝（AlON）透明陶瓷是近几十年发展起来的新型透射窗口材料,具有光学各向同性、力学性能与蓝宝石相近的特点,且制造成本比蓝宝石......
SiC陶瓷材料具有密度低、强度高、硬度大、耐高温、导热快等诸多优点,在航空航天等领域中具有十分广阔的应用前景。但是SiC陶瓷材......
碳化硼陶瓷作为军事防弹、航空航天、耐磨损耐腐蚀零部件等方面都有十分广泛的应用范围,具有密度低、熔点高、硬度高、耐高温、耐......
电子信息技术在军工及航空航天的大量应用促使电子封装朝着高性能化、高集成化、轻量化和小型化方向发展。石墨片/Cu基复合材料综......
MgO为重要的功能型材料,磁隧道结(MTJ)以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压(CIP)工艺将高纯M......
利用快淬带粉末通过常压烧结技术制备了块状La(Fe,Co,Si)13磁制冷材料,并研究了温度和烧结助剂LaFeSi对烧结体显微组织与性能的影......
近年来用有机硅化合物作粘结剂制备碳化硅、氮化硅等难烧结物质的烧结体的工作已引起人们的广泛兴趣,对用聚碳硅烷作粘结剂制备碳......
采用高纯度氧化铝粉为原料,高纯MgO为烧结助剂,通过两步常压烧结工艺制备出了致密度较高的氧化铝陶瓷。探究了第一步烧结温度T1、......
一、前言日本东芝和光洋精工株式会社着眼于陶瓷的耐磨性,共同开发了精细陶瓷轴承。认为不仅耐磨性优良,其耐热、耐腐蚀等特殊性......
用化学共沉淀法制备了氧化锌铝粉末,用冷等静压+常压烧结法制备了相对密度为96.7％的氧化锌铝溅射靶材,并用射频磁控溅射法在玻璃基......
SiC陶瓷的致命弱点是脆性,且室温强度较低,使其应用受到一定的限制。二硼化锆(ZrB2)具有高熔点、高硬度、导电导热性好等优异性能,......
通过改变硅树脂含量、烧结温度和保温时间,研究其对稀土Y2O3基陶瓷型芯性能的影响规律.试验结果如下:随硅树脂含量增加,样品的体积......
该论文研究了用淀粉还原TiH制备碳氮化钛的工艺,合成了Ti(C,N)纳米粉末,并对其合成机理进行了探讨.该论文分别研究了在氩气、氢气......
本文利用金属—陶瓷梯度材料可以缓解衬瓷层的应力集中、提高衬瓷层的结合力和抗热冲击性能的基本原理,以FeNiAl合金复合粉和纳米A......
新型陶瓷复合材料中SiAlON陶瓷因其低密度、高比强、抗冲击、抗热震、耐腐蚀、耐磨损等优良性能，已被广泛应用在耐高温等领域，但陶瓷......
采用碳管炉中氮气保护下常压烧结的方法,以β氮化硅为主相的粉末为原料,以纳米氧化铝为烧结助剂,分别在1700℃、1650℃、1600℃三......
本文采用共沉淀-凝胶法,以价格低廉的原料和简单的工艺制备了纳米ZrO2（Y2O3）陶瓷粉体。在此基础上,利用CVD法对所得粉体进行表面修饰......
BaHfO3:Ce是一种新型陶瓷闪烁体材料,具有简单立方结构,光学各向同性,密度高,阻止本领强,衰变时间短等优点,是适应于快速响应探测......
高介电材料由于具有特殊物理性能已被广泛应用于制造具有特殊性能的新型器件,具有重大的实用和商业价值,是当前微电子行业最热门的......
硅晶片掺杂用固态磷扩散源是一种片状的、常温下性能稳定、在高温下能分解并稳定释放出P2O5的功能陶瓷材料。本文采用溶胶-凝胶法......
拉丝模作为拉丝工艺的核心部件,材料选择非常重要。ZTA陶瓷材料既继承了Al2O3材料的高硬度及耐磨性,也继承了ZrO2材料的高强度和高......
SiCp/Al复合材料具有高比强度、比刚度、高热导率(TC)、低密度和热膨胀系数(CTE)等优势,在汽车、电力电子、航空航天等领域具有诱......
学位
高硅Sip/Al基复合材料以其高热导率(TC),低热膨胀系数(CTE)以及低密度等性能特点,成为一种新型的电子封装材料。开展高硅Sip/Al复......
锆钛酸锶是一种重要的介电材料,其高介电常数和低介电损耗能够广泛的应用于多层电容器或晶界电容器、电致发光器等,同时也可作为半......
TiO2是一种用途广泛的氧化物材料，本身是绝缘体，在还原性气氛中高温烧结可以使其成为一种n型半导体。本文通过采用常压烧结和微波烧......
多孔氮化硅陶瓷是近年来新开发的一种结构功能一体化新型陶瓷材料,因其优异的物理性能和广阔的应用前景,受到了国内外相关学者的重......
研究了以Y2O3和Y2O3+La2O3为烧结助剂的Sialon陶瓷的常压烧结过程及其相结构。结果表明：添加6%Y2O3在1750℃常压烧结1h可获得相对密......
将6H-SiC和α-Al2O3以质量比7∶3混合,添加质量分数0～10％的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1 200℃预氧化1h后在氢气......
研究了采用常压烧结方法制备碳化硅密封件,讨论了碳化硅成型及烧结工艺参数对其性能的影响.通过SEM分析了其显微结构,并测试了其力......
以溶胶凝胶法合成的亚微米级和市售微米级ZrB_2粉体为原料,B4C和Mo为烧结助剂,在氩气气氛下,常压烧结制得ZrB_2-SiC复相超高温陶瓷......
本文着重论述了氮化硅陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择、烧结机理和高温性能的改善方面的研究进展.......
Si3N4ceramics were prepared by pressureless sintering at 1 650 ℃ in nitrogen atmosphere using Si3N4powder as main start......
采用凝胶注模成型技术制备ZnO陶瓷坯体,并在较低温度下常压烧结后获得相对密度达98.6%、晶粒尺寸为1.35μm的陶瓷靶材,研究工艺参......
为验证在空气环境中，烧结Al2O3／SiC纳米复合陶瓷过程是否出现纳米SiC粉料的氧化现象，以及氧化后纳米陶瓷性能的变化规律，分别采用了常......
对SiO2-MgO-CeO2体系在1250～1750℃进行常压烧结,并用XRD进行了相分析.结论是,对Mg元素而言,在高温下,当原料中MgO含量较高时,Mg元......
研究了Al2O3/SiC陶瓷在空气中的烧结行为，实现了该体系在空气中的致密化烧结，1600℃添加10%（体积分数，下同）SiC的试样致密度达到97.6%，维......
高密度合金由于具有密度和强度高、延性好等一系列优异的性能,在军工上被用作动能穿甲弹材料.纳米材料被认为是21世纪应用前景非常......
由于Si6-ZAlZOZN8-Z(Z值变化范围为0～4.2)制备过程中物理、化学反应十分复杂，同时几乎没有可能制备单晶全致密Sialon材料，从而使Z值的......
采用硅粉,碳粉,尿素以及氧化铝,氧化钇为原料,利用常压烧结法制备了氮化硅多孔陶瓷,并着重研究了添加剂对氮化硅多孔陶瓷显气孔率......
以氮化铝、钨为原料，在氮气气氛下，采用无压烧结方式制备了AIN-W复合微波衰减材料。采用扫描电子显微镜、矢量网络分析仪及激光导热......
以微米级Si3N4和hBN粉末为原料,Al2O3-Y2O3为烧结助剂,分别采用常压烧结、热压烧结工艺制备不同hBN含量的复合陶瓷材料.研究了在常......
采用常压烧结法合成了Fe2O3-莫来石微波热效应陶瓷材料，并对材料的抗弯强度、抗热震性能及介电性能进行了研究。结果表明，随烧结温度......
采用非匀相沉淀法和常压烧结的方法制备出了Al2O3包裹Al复合陶瓷.研究了起始Al(NO3)3浓度、氨水滴定速度、反应体系pH值以及煅烧温......
采用常压烧结方法制备了CaZrO3-MgO陶瓷。研究了MgO含量对CaZrO3-MgO陶瓷的显气孔率、体积密度、抗弯强度、物相组成、显微结构和......
在1500～1600℃氢气气氛下常压保温1h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3＋Y2O3]（r（Al2O3：Y2O3）=5：3）添加量对该复相材料烧结性......
用常压烧结方法，在1200℃-1350℃烧结不同含B量的掺硼氧化锌（ZBO）靶材。研究了掺杂量、烧结温度对ZBO靶材微观结构的影响。实验表明，随......
