外延膜相关论文
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有优异的光电特性,在紫外光电探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、5G射......
学位
介绍了ZnxMg1-xO和ZnO：Al外延膜的激射特性。发现Mg替代的浓度灵敏地改变带隙宽度及受激发射峰的光子能量（激光频率），对发光效率影响较......
采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫......
期刊
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质......
自从在钙钛矿结构锰氧化物中发现巨磁电阻(CMR)以来它引起人们的兴趣,不仅因为它具有潜在的应用前景,此外,因为这类氧化物材料是自......
不同厚度的NdO7Sr0.3MnO3（NSMO）外延膜是由脉冲激光沉积生长在（LaAlO3）0.3（Sr2AlTaO6）0.7（LSAT）（001）衬底上的。X射线衍射（XRD）和电阻率测量结......
本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱,并测量了此薄膜材料的输......
不同厚度的La0．7Sr0．3MnO3（LSMO）外延薄膜被沉积到立方相的LaAlO3（001）单晶衬底上，XRD测试结果显示，LSMO外延膜的结构是单相的，具有与衬底相......
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布......
本文主要对GaN外延膜和InAs量子点等两种Ⅲ-V族化合物半导体材料进行研究。采用分子束外延系统生长样品,完善制备工艺,并研究其发......
对于外延膜多尺度应变模型的求解,设计了一类代数多重网格方法,进而以该代数多重网格为预条件子,结合共轭梯度法,得到一种预处理技......
过去十年中,YIG单晶材料及其亚铁磁衍生物由助熔剂法长成了大块材料,并且主要是做成球形样品,在微波器件中获得了有生命力的应用,......
<正> 分子束外延是Ⅲ-Ⅴ族二元化合物和多元合金薄膜的制备技术,十多年来已倍受人们的重视。分子束外延是一种精密的真空蒸发过程......
本文探讨以GGG(钆镓石榴石)为基外延生长GGG薄膜以及以YIG(钇铁石榴石)为基外延生长GGG薄膜的生长规律。给出了复合层状(介质—磁......
