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抑制剂1,2,4-三氮唑在Cu CMP后清洗中的作用
在集成电路多层Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀......
期刊
抑制剂TAZ
颗粒去除
电偶腐蚀
化学机械抛光(CMP)
碱性清洗液
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