化学机械抛光（CMP）相关论文
随着技术节点降低至10 nm及以下,传统的集成电路互连线材料铜（Cu）和插塞材料钨（W）,由于电阻率大,可靠性变差,影响器件性能,而钴（Co）作为......
学位
自65 nm节点取代铝成为布线金属以来,铜被广泛用于集成电路互连工艺,化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够达到互连层平坦化要求的加工技......
学位
硅通孔（TSV）阻挡层化学机械抛光（CMP）是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一，配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总......
在集成电路多层Cu互连化学机械抛光（CMP）后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀......
随着电子技术的飞速发展，对产品的精加工度及表面质量的要求越来越高。化学机械抛光技术（CMP）被公认为是目前唯一能实现全局平坦化加......
