掺杂氧化锌相关论文
ZnO的带隙与TiO2相似，且成本低，无毒，是具有很好工业前景的半导体催化剂。然而，ZnO能带宽、光生电子-空穴对(e--h+)易复合，制约其实际应......
半导体纳米微晶随其尺寸的减小,显示出与体相材料截然不同的特异性质.在超高速运算、光开关、光信息存储以及发光显示等领域具有广......
材料是人类赖以生存和发展的基础，人类一直在努力寻找和合成特性更加优良的新材料。随着计算机技术的兴起，人们尝试模拟材料的结构，运......
美国普渡大学研究人员开发出一种新的“等离子氧化材料”,有望带来超快全光通信技术,至少比传统技术要快10倍.rn研究人员证明了铝......
以镁钇掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了镁钇合掺ZnO(MYZO)薄膜样品.通过X射线衍射......
采用ZnO:Ga2O3:T iO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-T i共掺杂ZnO(GT Z O)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研......
采用磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积镓掺杂氧化物透明导电薄膜样品,通过X-射线衍射仪的测试表征及其定量分析研究了薄膜样品的结晶......
以钛掺杂氧化锌镓（GZO）陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO（GZO：Ti）透明半导体薄膜,利用光谱拟合方......
概述了掺杂氧化锌的掺杂性能、吸波机理以及化学成分计量的研究和发展现状。重点介绍了半导体、稀土元素和金属离子掺杂氧化锌的吸......
采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜,通过霍耳效应仪和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了工作压......
采用浸渍-沉淀法制备了掺杂ZnO的Ru-Fe/ZrO2催化剂,并通过XRD和TEM等手段对其进行了表征。结果表明,催化剂中引入了ZnO,Ru和ZnO在......
静电作为一种静场自然危害源，容易引起易燃、易爆气体产生爆炸，机房因为静电而干扰电子设备，这会给人类社会造成重大损失。陶瓷砖作为......
以水性聚氨酯为粘合剂,掺杂Al和La的Zn O为填料,配以其它助剂制成了红外隐身涂料,应用在帐篷织物表面,探究涂层厚度以及填料含量对......
以镓-镁掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃基片上沉积镓-镁共掺杂ZnO(ZnO:Ga-Mg)薄膜样品.通过X射线衍射......
透明导电氧化物薄膜(TCO)由于其优异的性能，成为科研和工业上的重点研究课题。TCO薄膜具有较低的电阻系数和高的可见光透明度，已经广......
本论文采用第一性原理计算了钙钛矿型铁电体和具有铁电性能的掺杂氧化锌的电子结构。采用第一性原理计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)03五层超......
氧化锌作为一种有着3.37eV禁带宽度的半导体，具有高达60emV的激子结合能。因其具有优异的光电性能，在短波长光电器件、光催化、光探......
采用掺氧化钼（MoO_3）的氧化锌（ZnO）陶瓷靶作为溅射源材料,利用磁控溅射工艺制备了钼掺杂氧化锌（MZO）透明导电氧化物（TCO）薄膜,通过X-射线衍......
以石英玻璃作为衬底,采用射频磁控溅射技术沉积钛镁掺杂氧化锌(TMZO)薄膜样品.基于分光光度计测量的透射光谱数据,利用光学表征方......
