数字驱动器相关论文
针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减......
基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集......
具有电流闭环的步进电机细分数字驱动控制是精细加工生产中采用的优先解决方案。通过对三相步进电机旋转磁场的空间电流矢量合成以......
采用智能功率模块FSAM20SH60A和数字信号控制器STM32F407VGT6，设计了交流永磁同步电机数字驱动器；开发了功率驱动模块、主控模块及接......
在芯片设计或板级设计中都需要准确的数字驱动器模型来进行信号完整性分析，本文提出了一种基于模糊逻辑建立的驱动器宏模型。基于驱......
基于E/D15PHEMT工艺研制了一款2~18GHz用于相控阵雷达的时延放大多功能MMIC芯片。本芯片是一款集成了放大器、单刀双置开关、六位......
目前工程中使用的中大功率IGBT驱动器大都采用模拟电路实现的无源电阻性门极控制方案。针对这些驱动器产品存在的缺陷，提出以FPGA为......
基于E／DGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路，内含6bit数控移相器......
在中高压、大容量电力电子变流系统中,大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)是变流器的关键器件,而门极驱动技术是影响IGBT功率器件及其组......
采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个......
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片......
